图解半导体基础
第6节 清洗的顺序与效果
更新于2008-09-15 11:36:56

在前几节中,针对湿法清洗处理中的化学清洗、漂清以及干燥作了简要的介绍。化学湿法清洗由于能够简单而且批量地除去各种污染物,所以得到广泛采用。但是,不存在能够清洗掉所有污染物的万能清洗液。通常是从图7.11所示清洗液中选择几种清洗液,同时用于清洁晶片表面。因此,要在考虑清洗对象、清洗所需时间及成本的基础上,建立“多种清洗液并用的清洗顺序”,进行有效的晶片清洗。
例如,利用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM,H2SO4/H2O2)除去有机物,利用APM除去微粒,利用HPM除去金属,然后利用稀释氢氟酸(DHF,HF/H2O)除去自然氧化膜和化学氧化膜。考虑到清洗效果,可以建立这样的清洗顺序:SPM→水洗→DHF→水洗→APM→水洗→DHF→水洗→HPM→水洗→DHF→水洗→干燥。这是一种实际使用的清洗顺序。从清除污染物的角度来看,可以说是一种万全的清洗顺序。


图7.11选择使用清洗液


但是应该看到,为了完成这样长的清洗过程,需要有相当大的清洗装置和大量的清洗液,并且消耗大量的电力以及花费许多时间。特别值得注意的是装置的大小。可以说超净室中占据空间最大的就是清洗装置。所以,在权衡节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及清洗效果这些因素后,可以考虑省略上述清洗顺序中的某些处理环节。


图7.12就示出一例简化的顺序。

 

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