图解半导体基础
第2节 晶片的清洗(二)
更新于2008-09-15 11:32:20

那么,用什么方法清洗晶片呢?没有一种能够清洗掉任何污染物的万能的清洗方法。我们必须根据污染的种类来选择相应的清洗方法。清洗方法可以分为湿法清洗和干法清洗两类,如图7.3所示。湿法清洗,是用化学药品溶液或者水清洗晶片表面的方式,分为物理清洗和化学清洗。物理湿法清洗,是利用刷子或喷射流或超声波机械地擦掉表面污染物的方法,对于除去附着力强的较大微粒很有效。化学腐蚀清洗,是利用化学反应剥去表面层、溶解附着的污染物,从而使表面清洁,用于除去附着在表面或者进入表面层的微粒或杂质。干法清洗,是利用等离子体或离子等气体使表面附着物气化的方法,用于除去比较薄的污染物层。
下面,先介绍湿法清洗的详细过程。如图7.4所示,湿法清洗按狭义上的清洗、漂清和干燥的顺序进行。狭义上的清洗,就是用清洗液除去污物。漂清,就是用水冲洗掉残留在表面的清洗液。干燥,就是除去残留在表面上的水分。这种处理顺序与洗衣机、洗碗机的清洗顺序完全相同。但是使用的清洗液及水的纯度不同。例如,漂清时使用的纯水是“不含粒子、有机物、离子等杂质的纯净水”。在半导体制造中,不仅要求水的纯度高,而且对用于半导体制造的所有化学药液和气体都要求是高纯度的。对于制造装置的要求也是同样的。在制作和管理制造装置的过程中,要求不能产生污染物,更不允许将污染物转移到晶片上。


图7.3晶片清洗分为湿法清洗和干法清洗

图7.4湿法清洗的处理顺序

 

 

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