图解半导体基础
第5节 湿法清洗的要点:干燥
更新于2008-09-15 11:35:50

清洗、漂清之后的工作就是干燥。不管晶片表面清洗得怎么清洁,如果不注意干燥处理,也会前功尽弃。完美的干燥既不能残留有附着的微粒和水分,也不能留有水迹。所谓水迹,就是干燥时留下的痕迹,如图7.9所示。当用抹布擦桌面时,如果留下水滴,那么水滴干燥后留下的痕迹就成为污点。这些污点就是水迹。当清洗晶片时,污点的大小约在微米数量级以下。如果有水迹,就会像腐蚀时使用的掩模那样,诱发图形缺陷,或者导致所形成的膜与下面基底的界面状况同预想的有差异,从而影响到器件的特性。怎样才能在干燥时不留下水迹呢?这要求在清洁、且无氧的气氛中短时间内完成干燥工作。干燥的方法主要采用旋转干燥和异丙醇(Isopropyl Alcohol,IPA)蒸气干燥。旋转干燥是利用旋转的离心力将水分吹干,或者用旋转产生的气流卷走水分的方法,操作很方便。不过为了消除水迹,需要找出最佳的运行条件。


图7.9水迹


如图7.10所示,IPA干燥是把晶片放置在IPA蒸气中,将水分置换为乙醇的方法。残留在晶片表面上的IPA在短时间内会自然蒸发。从不发生水迹角度来看,这是最好的干燥方法,但是IPA是易燃性溶剂。使用时必须注意不要发生燃烧和爆炸事故。在溶剂的价格和纯度方面,IPA比较差。考虑到安全性,也可以采用TFE或者HFIPA。


图7.10IPA蒸气干燥

 

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